Оперативная память Samsung 8GB 2666MHz CL19 (M393A1K43BB1-CTD)

Коротко о товаре

• объем памяти: 8 ГБ
• тип: DDR4 DIMM 288-pin
• тактовая частота: 2666 МГц
• тайминги: 19-19-19
• напряжение питания: 1.2 В
• пропускная способность: PC21300
• буферизованная (Registered): да
• поддержка ECC: да

Общие характеристики

Тип памяти

DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 8 ГБ Поддержка ECC есть Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет

Тайминги

CAS Latency (CL)

19 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля

9, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.2 В Количество ранков