TwinMos DDR4 4Gb 2666Mhz

Тип памяти: DDR4
Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Тактовая частота: 1333 МГц
Пропускная способность: 10600 МБ/с
Объем: 1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тайминги:
CAS Latency (CL): 9
RAS to CAS Delay (tRCD): 9
Row Precharge Delay (tRP): 9
Activate to Precharge Delay (tRAS): 24

Дополнительно:
Напряжение питания: 1.5 В